Тип: Модули IGBT;
Uкэ макс, В: 600;
Iк макс, А: 100;
Uкэ нас, В: 1,8;
tнар/tсп, нс: 50/35;
Конфигурация: полумост;
Встр. диод Uпр, В: 1,45