Тип: Модули IGBT;
Uкэ макс, В: 1200;
Iк макс, А: 52;
Uкэ нас, В: 1;
tнар/tсп, нс: 30/95;
Конфигурация: 3-фазный мост;
Встр. диод tвосс, нс: 24;
Встр. диод Uпр, В: 1,8